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120V SGT工藝N-Channel MOSFET
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產品介紹 1.采用揚杰科技SGT特殊工藝制程，根據電機驅動和電源應用要求，優化導通內阻（Rdson)和 柵極電荷（Qg)性能，降低導通損耗和開關損耗，提升系統效率；
2.解決高速Gan電源應用時di/dt大帶來的副邊電壓尖峰高的問題，提升產品整體的可靠性。
產品特點 1.采用揚杰科技SGT特殊工藝制程設計，具有更高的工藝穩定性和可靠性；
2.系列產品具有更快的開關速度，更小的柵電荷和更高的應用效率；
3.采用PDFN5060封裝，更好的熱阻特性。
規格書

YJG88G12A

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