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產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

N100V MOSFET：給PD電源安排“低耗抗造”超頂內(nèi)核~

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新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚杰科技最新推出了一系列用于PD電源的N100V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。

產(chǎn)品特點 1.采用最新優(yōu)化的SGT工藝, 產(chǎn)品內(nèi)阻低，開關特性優(yōu)異；
2.采用PDFN5*6-8L 封裝，適用于PD電源同步整流應用；
3.針對電源應用的各種工作狀態(tài), 優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力，提高產(chǎn)品的可靠性。

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